Udskriv side
VSMY2850RG
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 10 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
3.890 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 580,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 5,540 |
| 10+ | kr 3,870 |
| 25+ | kr 3,540 |
| 50+ | kr 3,220 |
| 100+ | kr 2,900 |
| 500+ | kr 2,420 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 5,54 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerVSMY2850RG
Varenummer1870813
Teknisk datablad
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktoversigt
The VSMY2850RG is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and floor life of 4 weeks, MSL 2a, according to J-STD-020. It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels and IR illumination.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Terminal configurations - Gull-wing or reserve gull-wing
- ±10° Angle of half intensity
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):4
Produktsporbarhed