Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 17 uge(r)
Kontakt mig, når varen er på lager
Antal | |
---|---|
1+ | kr 23,800 |
10+ | kr 15,600 |
100+ | kr 13,730 |
500+ | kr 11,790 |
1000+ | kr 9,920 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 23,80 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentTOSHIBA
Producentens varenummerTTA1943(Q)
Varenummer1901958
Teknisk datablad
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transistor Case StyleTO-3PL
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The TTA1943 from Toshiba is a through hole PNP silicon epitaxial transistor in TO-3 package. This device is commonly used for power amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is -230V
- Collector current (Ic) is -15A
- Power dissipation (Pd) is 150W
- Collector to emitter saturation voltage of -3V at -8A collector current
- DC current gain (hFE) of 80 at -1A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
Applikationer
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3PL
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (1)
Alternativer til TTA1943(Q)
1 produkt fundet
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.015876
Produktsporbarhed