Udskriv side
IRFB7545PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 95 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB7545PBF
Varenummer2406518
Også kendt somSP001563968
Teknisk datablad
2.432 På Lager
1.000 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 2,820 |
| 10+ | kr 2,770 |
| 100+ | kr 2,740 |
| 500+ | kr 2,640 |
| 1000+ | kr 2,560 |
| 5000+ | kr 2,510 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 2,82 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB7545PBF
Varenummer2406518
Også kendt somSP001563968
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source On State Resistance0.0059ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
The IRFB7545PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Applikationer
Motor Drive & Control, Power Management
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
95A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0059ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000454
Produktsporbarhed