Udskriv side
BSS84PH6327XTSA2
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSS84PH6327XTSA2
Varenummer1056526
ProduktsortimentSIPMOS Series
Også kendt somBSS84P H6327, SP000929186
Teknisk datablad
1.052.543 På Lager
3.000 Du kan reservere fra lager nu
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 1,490 |
| 10+ | kr 0,740 |
| 100+ | kr 0,548 |
| 500+ | kr 0,491 |
| 1000+ | kr 0,434 |
| 5000+ | kr 0,334 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 7,45 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSS84PH6327XTSA2
Varenummer1056526
ProduktsortimentSIPMOS Series
Også kendt somBSS84P H6327, SP000929186
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -170mA
- Power dissipation (pd) of 360mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
Applikationer
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Alternativer til BSS84PH6327XTSA2
4 produkter blev fundet
Tilknyttede produkter
3 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000033