Udskriv side
BSC082N10LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSC082N10LSGATMA1
Varenummer4318955
ProduktsortimentOptiMOS 2 Series
Teknisk datablad
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSC082N10LSGATMA1
Varenummer4318955
ProduktsortimentOptiMOS 2 Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0082ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativer til BSC082N10LSGATMA1
2 produkter blev fundet
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (4)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0005