Udskriv side
DMG1029SV-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
3.709 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 3,080 |
| 50+ | kr 1,990 |
| 100+ | kr 1,240 |
| 500+ | kr 1,120 |
| 1500+ | kr 1,000 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 15,40 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMG1029SV-7
Varenummer2543528
Teknisk datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel360mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel450mW
Power Dissipation P Channel450mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
360mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
450mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
450mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Tilknyttede produkter
3 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.005
Produktsporbarhed