Udskriv side
STP4NK60ZFP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220FP, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
1.413 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 15,970 |
| 10+ | kr 6,720 |
| 100+ | kr 6,690 |
| 500+ | kr 5,740 |
| 1000+ | kr 5,520 |
| 5000+ | kr 5,410 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 15,97 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTP4NK60ZFP
Varenummer1291985
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktoversigt
The STP4NK60ZFP is a 600V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Zener-protected
Applikationer
Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.004445
Produktsporbarhed