Udskriv side
MJ11015G
Darlington Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
18 På Lager
1.300 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 55,520 |
| 5+ | kr 46,860 |
| 10+ | kr 38,210 |
| 50+ | kr 38,060 |
| 100+ | kr 34,180 |
| 250+ | kr 31,940 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 55,52 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerMJ11015G
Varenummer9556575
Teknisk datablad
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
Applikationer
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
200W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
30A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til MJ11015G
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.011793
Produktsporbarhed