Udskriv side



Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF1010EPBF
Varenummer8647968
Også kendt somSP001569818
Teknisk datablad
253 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
Antal | |
---|---|
1+ | kr 9,170 |
10+ | kr 6,570 |
100+ | kr 5,560 |
500+ | kr 4,670 |
1000+ | kr 4,440 |
5000+ | kr 4,120 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 9,17 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF1010EPBF
Varenummer8647968
Også kendt somSP001569818
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id81A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Industry-leading quality
- Planar MOSFET technology
- ±20V gate to source voltage
- 1.4W/°C linear derating factor
- 50A avalanche current (IAR)
- 0.75°C/W thermal resistance, junction to case
- 62°C/W thermal resistance, junction to ambient
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
81A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002712
Produktsporbarhed