Udskriv side
WG30R135W1Q
IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
237 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 21,650 |
| 10+ | kr 14,760 |
| 100+ | kr 12,510 |
| 500+ | kr 11,910 |
| 1000+ | kr 10,790 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 21,65 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Producentens varenummerWG30R135W1Q
Varenummer4697763
Teknisk datablad
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation428W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
WG30R135W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1350V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 1.9V typ at VGE = 0V; IF = 30A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1350V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 157nC typ at VCC = 1080V; IC = 30A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 130nS typ at Tj=25°C;IC=30A; VGE=15V / 0V; RG=10 ohm;Cr=300nF; R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Tekniske specifikationer
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
428W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Mere information følger
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001