Udskriv side
SQJB46ELP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6400 µohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQJB46ELP-T1_GE3
Varenummer3702691RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 31 uge(r)
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 5,320 |
| 500+ | kr 4,200 |
| 1000+ | kr 3,850 |
| 5000+ | kr 3,620 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 567,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQJB46ELP-T1_GE3
Varenummer3702691RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel6400µohm
Drain Source On State Resistance P Channel6400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel34W
Power Dissipation P Channel34W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
6400µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
34W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
6400µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed