Udskriv side
SQJ152ELP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 123 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQJ152ELP-T1_GE3
Varenummer3581012RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
49 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 3,540 |
| 500+ | kr 3,150 |
| 1000+ | kr 2,700 |
| 5000+ | kr 2,470 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 389,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQJ152ELP-T1_GE3
Varenummer3581012RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id123A
Drain Source On State Resistance0.005ohm
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd136W
Power Dissipation136W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
136W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
123A
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed