Udskriv side
SQ4282EY-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ4282EY-T1_GE3
Varenummer3929246RL
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
1.926 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 6,320 |
| 500+ | kr 5,960 |
| 1000+ | kr 5,600 |
| 5000+ | kr 5,240 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 667,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ4282EY-T1_GE3
Varenummer3929246RL
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.9W
Power Dissipation P Channel3.9W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.9W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Germany
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Germany
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001
Produktsporbarhed