Udskriv side
SQ3419EV-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 6.9 A, 0.058 ohm, TSOP, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ3419EV-T1_GE3
Varenummer4320252
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ3419EV-T1_GE3
Varenummer4320252
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id6.9A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Alternativer til SQ3419EV-T1_GE3
1 produkt fundet
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.9A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.025
Produktsporbarhed