Udskriv side
SQ2315ES-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, TO-236, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ2315ES-T1-GE3
Varenummer2056705
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Alternativer til SQ2315ES-T1-GE3
1 produkt fundet
Produktoversigt
The SQ2315ES-T1-GE3 is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- AEC-Q101 qualified
- Halogen-free
- -55 to 175°C Operating temperature range
Applikationer
Industrial, Power Management, Automotive
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.090718