Udskriv side
SQ1922AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ1922AEEH-T1_GE3
Varenummer3104164
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
5.755 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 3,900 |
| 10+ | kr 2,870 |
| 100+ | kr 2,020 |
| 500+ | kr 1,540 |
| 1000+ | kr 1,290 |
| 5000+ | kr 1,000 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 19,50 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSQ1922AEEH-T1_GE3
Varenummer3104164
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.009
Produktsporbarhed