Udskriv side
SIZF928DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZF928DT-T1-GE3
Varenummer3765812RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
11.963 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 6,830 |
| 500+ | kr 5,000 |
| 1000+ | kr 4,810 |
| 5000+ | kr 3,990 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 718,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZF928DT-T1-GE3
Varenummer3765812RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id248A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel248A
Continuous Drain Current Id P Channel248A
Drain Source On State Resistance N Channel0.00053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.00053ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel74W
Power Dissipation P Channel74W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktoversigt
Dual N-channel 30V (D-S) MOSFET I typically used in applications such as CPU core power, computer / server peripherals, POL, synchronous buck converter and telecom DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
248A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.00053ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
74W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
248A
Continuous Drain Current Id N Channel
248A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00053ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001
Produktsporbarhed