Udskriv side
SIZF906DDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 257 A, 900 µohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZF906DDT-T1-GE3
Varenummer4472935
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Teknisk datablad
4.000 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 17,110 |
| 50+ | kr 10,860 |
| 250+ | kr 7,590 |
| 1000+ | kr 5,590 |
| 3000+ | kr 4,750 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 85,55 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZF906DDT-T1-GE3
Varenummer4472935
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel257A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR F
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel83W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tekniske specifikationer
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
257A
Drain Source On State Resistance N Channel
900µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR F
Power Dissipation N Channel
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed