Udskriv side
SIZ998DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZ998DT-T1-GE3
Varenummer2802799
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
11.484 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 14,270 |
| 10+ | kr 9,410 |
| 100+ | kr 6,420 |
| 500+ | kr 4,690 |
| 1000+ | kr 4,270 |
| 5000+ | kr 3,820 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 14,27 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZ998DT-T1-GE3
Varenummer2802799
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0022ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0022ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SIZ998DT-T1-GE3
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Hong Kong
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Hong Kong
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.006
Produktsporbarhed