Udskriv side
SIZ918DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
2.023 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 7,700 |
| 500+ | kr 6,130 |
| 1000+ | kr 5,780 |
| 5000+ | kr 4,920 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 805,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZ918DT-T1-GE3
Varenummer2283687RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel28A
Continuous Drain Current Id P Channel28A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel100W
Power Dissipation P Channel100W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The SIZ918DT-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power, POL and synchronous buck converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Applikationer
Industrial, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
28A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
100W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
28A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SIZ918DT-T1-GE3
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00012
Produktsporbarhed