Udskriv side
SIZ342DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZ342DT-T1-GE3
Varenummer3772850RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
4.965 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 4,020 |
| 500+ | kr 3,140 |
| 1000+ | kr 2,550 |
| 5000+ | kr 2,180 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 437,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZ342DT-T1-GE3
Varenummer3772850RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0084ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0084ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel16.7W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0084ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
16.7W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0084ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001