Udskriv side
SIZ340DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
5.693 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 3,850 |
| 500+ | kr 3,350 |
| 1000+ | kr 2,770 |
| 5000+ | kr 2,610 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 420,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIZ340DT-T1-GE3
Varenummer2422226RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0042ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The SIZ340DT-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous buck battery charging and graphic cards, POL applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Applikationer
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0042ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0042ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SIZ340DT-T1-GE3
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00033
Produktsporbarhed