Udskriv side
SISH536DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 67.4 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSISH536DN-T1-GE3
Varenummer3677851
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Teknisk datablad
2.775 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 4,840 |
| 10+ | kr 3,650 |
| 100+ | kr 2,590 |
| 500+ | kr 1,980 |
| 1000+ | kr 1,740 |
| 5000+ | kr 1,420 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 4,84 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSISH536DN-T1-GE3
Varenummer3677851
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id67.4A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation26.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktoversigt
N-channel 30V (D-S) MOSFET in PowerPAK 1212-8SH package is typically used in DC/DC converter, POL, synchronous rectification, battery management, power and load switch applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
- 100% Rg and UIS tested
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.4A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
26.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SISH536DN-T1-GE3
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0005
Produktsporbarhed