Udskriv side
SISF02DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSISF02DN-T1-GE3
Varenummer3128861
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
1.010 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 11,070 |
| 10+ | kr 8,150 |
| 100+ | kr 6,240 |
| 500+ | kr 5,800 |
| 1000+ | kr 5,250 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 11,07 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSISF02DN-T1-GE3
Varenummer3128861
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel69.4W
Power Dissipation P Channel69.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0027ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
69.4W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.015
Produktsporbarhed