Udskriv side
SIS9634LDN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIS9634LDN-T1-GE3
Varenummer4139040RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
30 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 5,540 |
| 500+ | kr 4,370 |
| 1000+ | kr 4,000 |
| 5000+ | kr 3,270 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 589,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIS9634LDN-T1-GE3
Varenummer4139040RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel17.9W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
17.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000154