Udskriv side
SIS892ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
30.671 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 8,580 |
| 10+ | kr 6,010 |
| 100+ | kr 4,770 |
| 500+ | kr 3,490 |
| 1000+ | kr 3,130 |
| 5000+ | kr 2,790 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 8,58 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIS892ADN-T1-GE3
Varenummer2283695
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktoversigt
The SIS892ADN-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applikationer
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SIS892ADN-T1-GE3
1 produkt fundet
Tilknyttede produkter
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00012
Produktsporbarhed