Udskriv side
SIS590DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIS590DN-T1-GE3
Varenummer3765824
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
5.665 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 9,860 |
| 10+ | kr 6,920 |
| 100+ | kr 4,600 |
| 500+ | kr 3,340 |
| 1000+ | kr 3,030 |
| 5000+ | kr 2,600 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 9,86 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIS590DN-T1-GE3
Varenummer3765824
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.197ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.197ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23.1W
Power Dissipation P Channel23.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Tekniske specifikationer
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.197ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23.1W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.197ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0005
Produktsporbarhed