Udskriv side
SIR512DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIR512DP-T1-RE3
Varenummer3801704RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Teknisk datablad
1.920 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 9,170 |
| 500+ | kr 7,750 |
| 1000+ | kr 7,600 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 952,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIR512DP-T1-RE3
Varenummer3801704RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktoversigt
N-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.004536
Produktsporbarhed