Udskriv side
SIR510DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 126 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIR510DP-T1-RE3
Varenummer3677856RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Teknisk datablad
9.015 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 9,560 |
| 500+ | kr 7,460 |
| 1000+ | kr 6,870 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 5
kr 991,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIR510DP-T1-RE3
Varenummer3677856RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
Power Dissipation Pd104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktoversigt
N-channel 100V (D-S) MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0005
Produktsporbarhed