Udskriv side
1.079 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 65,590 |
| 5+ | kr 61,400 |
| 10+ | kr 57,150 |
| 50+ | kr 41,530 |
| 100+ | kr 35,180 |
| 250+ | kr 34,510 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 65,59 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIHG47N60E-E3
Varenummer2079780
ProduktsortimentE
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation357W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The SIHG47N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
Applikationer
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy, Motor Drive & Control
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
357W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.053ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SIHG47N60E-E3
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.006