Udskriv side
SIDR638DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIDR638DP-T1-GE3
Varenummer2932899
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
18.503 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 14,250 |
| 10+ | kr 11,270 |
| 100+ | kr 8,060 |
| 500+ | kr 6,070 |
| 1000+ | kr 5,640 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 14,25 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSIDR638DP-T1-GE3
Varenummer2932899
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance730µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
730µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SIDR638DP-T1-GE3
7 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.003
Produktsporbarhed