Udskriv side
SI7540ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSI7540ADP-T1-GE3
Varenummer2707201RL
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
121.523 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 7,840 |
| 500+ | kr 5,730 |
| 1000+ | kr 5,240 |
| 5000+ | kr 4,700 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 819,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSI7540ADP-T1-GE3
Varenummer2707201RL
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0115ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
N- and P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converters, synchronous buck converter, synchronous rectifier, load switch and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0115ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000226