Udskriv side
SI4459ADY-T1-GE3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 29A, SOIC, FULL
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Lagerføres ikke længere
Leveringsgebyr: kr 200,00 en gang pr. ordre. 3 hverdages levering for lagervarer.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSI4459ADY-T1-GE3
Varenummer2368264
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Tilknyttede produkter
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
SVHC:Lead
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000229