Udskriv side
SSM6N57NU,LF(T
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentTOSHIBA
Producentens varenummerSSM6N57NU,LF(T
Varenummer3872306RL
Også kendt somSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
Teknisk datablad
45 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 580,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 1,600 |
| 500+ | kr 1,220 |
| 1000+ | kr 1,020 |
| 5000+ | kr 0,970 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 5
kr 195,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentTOSHIBA
Producentens varenummerSSM6N57NU,LF(T
Varenummer3872306RL
Også kendt somSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.03ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Thailand
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed