Udskriv side
TQM150NB04DCR RLG
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentTAIWAN SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerTQM150NB04DCR RLG
Varenummer3773033RL
Teknisk datablad
4.285 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 10,400 |
| 500+ | kr 9,420 |
| 1000+ | kr 8,450 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 1.075,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentTAIWAN SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerTQM150NB04DCR RLG
Varenummer3773033RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel39A
Continuous Drain Current Id P Channel39A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0103ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0103ohm
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
39A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0103ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
39A
Continuous Drain Current Id N Channel
39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0103ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0004
Produktsporbarhed