Udskriv side
STW12N150K5
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTW12N150K5
Varenummer3367080
ProduktsortimentMDmesh K5
Teknisk datablad
6.486 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 62,230 |
| 5+ | kr 61,860 |
| 10+ | kr 61,490 |
| 50+ | kr 34,770 |
| 100+ | kr 33,650 |
| 250+ | kr 32,460 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 62,23 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTW12N150K5
Varenummer3367080
ProduktsortimentMDmesh K5
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
STW12N150K5 is a N-channel MDmesh™ K5 power MOSFET. It is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Suitable for switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- 1500V min drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- 1µA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 1500V, TCASE = 25°C)
- 4V typ gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- 1.6ohm typ static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 3.5A, TCASE = 25°C)
- 1360pF typ input capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 80pF typ output capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 47nC typ total gate charge (VDD = 1200V, ID = 7A, VGS = 10V, TCASE = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00443