Udskriv side
STW11NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTW11NK100Z
Varenummer1468004
ProduktsortimentSTW
Teknisk datablad
32.964 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 580,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 29,880 |
| 10+ | kr 29,510 |
| 100+ | kr 23,010 |
| 500+ | kr 20,390 |
| 1000+ | kr 20,320 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 29,88 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTW11NK100Z
Varenummer1468004
ProduktsortimentSTW
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktoversigt
The STW11NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Applikationer
Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Nej
Kompatible med RoHS-phthalater:Nej
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.010433