Udskriv side
STP80NF55-08
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
297 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 18,320 |
| 10+ | kr 10,620 |
| 100+ | kr 9,870 |
| 500+ | kr 9,200 |
| 1000+ | kr 8,450 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 18,32 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTP80NF55-08
Varenummer1291988
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
The STP80NF55-08 from STMicroelectronics is a through hole, 55V N channel STripFET II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET designed in unique Single Feature Size strip based process, resulting transistor shows extremely high packing density for low onstate resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps. Applicable at switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 55V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 80A
- Power dissipation (Pd) of 300W
- Low on state resistance of 6.5mohm at Vgs 10V
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Applikationer
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til STP80NF55-08
3 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Morocco
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Morocco
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002685