Udskriv side
STP13N95K3
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
78 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 39,190 |
| 10+ | kr 32,230 |
| 100+ | kr 25,350 |
| 500+ | kr 25,280 |
| 1000+ | kr 25,200 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 39,19 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTP13N95K3
Varenummer2098292
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.68ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
The STP13N95K3 is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low ON-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
- Extremely large avalanche performance
- Very low intrinsic capacitance
Applikationer
Industrial, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
0.68ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.19