Udskriv side
STL42P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTL42P6LLF6
Varenummer2807202
ProduktsortimentSTripFET F6
Teknisk datablad
1.230 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 15,930 |
| 10+ | kr 11,070 |
| 100+ | kr 7,780 |
| 500+ | kr 6,250 |
| 1000+ | kr 6,010 |
| 5000+ | kr 5,120 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 15,93 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTL42P6LLF6
Varenummer2807202
ProduktsortimentSTripFET F6
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
Produktoversigt
STL42P6LLF6 is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. Suitable for switching applications.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Drain-source breakdown voltage is -60V at VGS = 0V, ID = -250µA
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is -42A
- 34mohm max static drain-source on resistance
- PowerFLAT 5x6 package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000142
Produktsporbarhed