Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
585 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Antal | |
---|---|
1+ | kr 18,320 |
10+ | kr 17,350 |
100+ | kr 16,300 |
500+ | kr 16,080 |
1000+ | kr 15,630 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 18,32 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTF9NK90Z
Varenummer1752097
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
The STF9NK90Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an optimization of STMicroelectronics' well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly lower, it also ensures very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complement STs' full range of high voltage power MOSFETs.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
Applikationer
Industrial, Power Management
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001814