Udskriv side
STF11NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
58 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 37,930 |
| 10+ | kr 18,030 |
| 100+ | kr 16,540 |
| 500+ | kr 14,760 |
| 1000+ | kr 14,680 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 37,93 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTF11NM60ND
Varenummer2098200
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.37ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktoversigt
The STF11NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
- The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
- 100% Avalanche tested
- Low gate input resistance
- Extremely high dV/dt and avalanche capabilities
Applikationer
Industrial, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.37ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Alternativer til STF11NM60ND
4 produkter blev fundet
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.004082