Udskriv side
STD3NK90ZT4
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
4.586 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 20,120 |
| 10+ | kr 13,010 |
| 100+ | kr 8,970 |
| 500+ | kr 7,390 |
| 1000+ | kr 7,040 |
| 5000+ | kr 6,000 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 20,12 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTD3NK90ZT4
Varenummer1752038
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance4.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The STD3NK90ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is series is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
- Extremely high dV/dt capability
Applikationer
Industrial, Power Management
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
4.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000435
Produktsporbarhed