Udskriv side
STD35P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTD35P6LLF6
Varenummer2807190
ProduktsortimentSTripFET F6
Teknisk datablad
2.218 På Lager
2.500 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 13,540 |
| 10+ | kr 7,700 |
| 100+ | kr 5,680 |
| 500+ | kr 4,900 |
| 1000+ | kr 4,680 |
| 5000+ | kr 4,320 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 13,54 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSTD35P6LLF6
Varenummer2807190
ProduktsortimentSTripFET F6
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000907
Produktsporbarhed