Udskriv side
SCT30N120
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
834 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 141,950 |
| 5+ | kr 122,530 |
| 10+ | kr 103,040 |
| 50+ | kr 102,820 |
| 100+ | kr 102,670 |
| 250+ | kr 102,440 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 141,95 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerSCT30N120
Varenummer2451116
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation270W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Applikationer
Industrial, Power Management
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
270W
Product Range
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.008051
Produktsporbarhed