Udskriv side
ADP480120W3-L
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
registrer din interesse her
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 8.924,000 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 8.924,00 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSTMICROELECTRONICS
Producentens varenummerADP480120W3-L
Varenummer4558118
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id488A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleACEPACK DRIVE
No. of Pins30Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation869W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
488A
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
No. of Pins
30Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
ACEPACK DRIVE
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
869W
Product Range
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):730
Produktsporbarhed