Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 802,590 |
| 5+ | kr 744,710 |
| 10+ | kr 676,710 |
| 50+ | kr 652,090 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 802,59 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSEMIKRON
Producentens varenummerSKM100GB12T4
Varenummer2423682
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current160A
Continuous Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktoversigt
The SKM100GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module use with electronic welders at fsw up to 20kHz and AC inverter drives. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Applikationer
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniske specifikationer
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til SKM100GB12T4
3 produkter blev fundet
Tilknyttede produkter
3 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Slovak Republic
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Slovak Republic
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.18
Produktsporbarhed