Udskriv side
SKM100GB125DN
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
2 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 1.416,000 |
| 5+ | kr 1.335,000 |
| 10+ | kr 1.248,000 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 1.416,00 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentSEMIKRON
Producentens varenummerSKM100GB125DN
Varenummer2423681
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktoversigt
The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.
- Low inductance
- Short tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability
- Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
Applikationer
Power Management, Industrial
Advarsler
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device however ESD packaging is not necessary. Due to technical requirements, component may contain dangerous substances.
Tekniske specifikationer
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Tekniske dokumenter (1)
Tilknyttede produkter
4 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Italy
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Italy
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.18
Produktsporbarhed