Udskriv side
RS7E200BGTB1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
92 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 19,290 |
| 500+ | kr 18,920 |
| 1000+ | kr 18,550 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 1.964,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentROHM
Producentens varenummerRS7E200BGTB1
Varenummer4633510RL
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id390A
Drain Source On State Resistance670µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation180W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
670µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
390A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Japan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00001
Produktsporbarhed