Udskriv side
GNP1070TC-ZE2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
120 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 72,760 |
| 5+ | kr 62,310 |
| 10+ | kr 51,790 |
| 50+ | kr 47,380 |
| 100+ | kr 42,980 |
| 250+ | kr 42,090 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 72,76 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentROHM
Producentens varenummerGNP1070TC-ZE2
Varenummer4172944
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleDFN8080K
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
DFN8080K
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Taiwan
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000012